сетка проволочная штукатурная тканая квадрат 5х5 мм толщина 1.6 мм гост

..

К159нт1в схема

У нас вы можете скачать к159нт1в схема в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

Подул на схему - и до свидания. Напоминаю, НТ1 - монолитная пара транзисторов, на одном кристалле, то есть. Так вот, подобных схем, где требуется высокая согласованность параметров и их t* дрейфов - масса. Не всё же сводится к искажалкам. Конечно, не до конца понимая, зачем нужна согласованная пара транзисторов, можно смело утверждать, что "ничего в них хорошего нет" и что КТ "на голову лучше". Характеристики, параметры, схема, описание: НТ1Б. Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл. Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка: ТС УАД ГУ АЕЯРТУ. Базовая схема дифференциального усилителя. НТ1Б. Загрузить. 2N АЕЯРТУ. Базовая схема дифференциального усилителя. НТ1В. Загрузить. Принципиальная схема (а) и типовые входные характеристики транзисторов ИМС НТ1, КНТ1 в схеме с общим эмиттером в обычном режиме (б) и микрорежиме (в). Рис. Типовые выходные характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером для ИМС НТ1, КНТ1. Значения остальных параметров транзисторных структур приведены ниже. 1 Ток утечки между транзисторами. Корпус ИМС КРНТ1А-Е. Электрическая схема. 1,8 - свободные; 2 - коллектор транзистора VT1; 3 - база транзистора VT1; 4 - эмиттер транзистора VT1; 5 - эмиттер транзистора VT2; 6 - база транзистора VT2; 7 - коллектор транзистора VT2; Электрические параметры. Корпус ИМС КНТ1А-Е Корпус ИМС КРНТ1А-Е Электрическая схема Электрические параметры Предельно допустимые режимы эксплуатации Зарубежные аналоги Литература. Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа , масса не более 1,3 гр и типа , масса не более 1,0 гр. Корпус ИМС КНТ1А-Е. Корпус ИМС КРНТ1А-Е. Электрическая схема. КНТ1В - цены и наличие на складе. Подробное описание (datasheet) электронного компонента «КНТ1В» производства Квазар-ИС. Выберите наиболее удобный формат. Маркировка. КНТ1В. Описание. Базовая схема ДУ. Производитель. ДП "КВАЗАР-ИС". Электрическая схема КНТ1, КРНТ1. Назначение выводов. 1, 8 — свободные; 2 — коллектор транзистора VT1 3 — база транзистора VT1 4 — эмиттер транзистора VT1; 5 — эмиттер транзистора VT2, 6 — база транзистора VT2  КНТ1А, КРНТ1А. КНТ1Б, КРНТ1Б, КНТ1В, КРНТ1В КНТ1Г, КРНТ1Г, КНТ1Д. Схема имеет защиту от превышения напряжения питания, перегрузки по току и короткого замыкания. Схема поддерживает режим сохранения энергии согласно стандарту VESA: потребление в режиме Stand-by составляет 55 Вт, в режиме Suspend 15 Вт, в режиме Off 5 Вт. Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА: 20 Напряжение коллектор-база, В: Принципиальная схема (а) и типовые входные характеристики транзисторов ИМС НТ1, КНТ1 в схеме с общим эмиттером в обычном режиме (б) и микрорежиме (в). Рис. Типовые выходные характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером для ИМС НТ1, КНТ1. Принципиальная схема. Приемник выполнен по схеме прямого преобразования с фазовой автоподстройкой частоты. Он содержит входной контур L1 C1 C2, настроенный на среднюю частоту диапазона (69,5 МГц), апериодический усилитель РЧ (V1), двухтактный гетеродин, балансный смеситель и усилитель постоянного тока (транзисторы сборок А1, А2) и предварительный усилитель ЗЧ (V5), согласующий выход приемника со стереодекодером.